半導體區熔

硅、鍺等半導體材料的區熔提純設備。

半導體區熔

適用范圍
硅、鍺等半導體材料的區熔提純設備。

技術特點
①采用真空區熔工藝,感應器通過變頻機構緩慢移動,速度可調節。
②固態高頻MOSFET電源,設備體積小;恒功率控制技術,工藝穩定。
③與原電子管高頻電源相比,節電率30%以上,并且工藝可控性好。
④低壓諧振,電磁輻射小,工作環境安全。
⑤采用PLC+HMI,可實現自動加熱控制,方便靈活。
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典型圖例

鍺提純

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鍺提純

鍺提純設備


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